Born-Infeld 电动力学下绝缘体/超导体相变中的全息纠缠熵
高能物理 - 理论
2015-06-18 v3 广义相对论与量子宇宙学
摘要
我们在五维 AdS 孤子时空中，研究了具有完全反作用的 Born-Infeld 电动力学在绝缘体/超导体相变中的全息纠缠熵。我们注意到，全息纠缠熵是研究相变性质的良好探针，且 Born-Infeld 因子 对临界化学势 没有影响。我们发现，无论是在半空间还是带状区域，纠缠熵随化学势变化的非单调行为是一个普遍性质，并且在超导相中纠缠熵随 Born-Infeld 因子的增加而增加。特别地，在条形几何中存在禁闭/退禁闭相变，且临界宽度 依赖于 Born-Infeld 参数。
引用
@article{arxiv.1401.6505,
title = {Holographic entanglement entropy in insulator/superconductor transition with Born-Infeld electrodynamics},
author = {Weiping Yao and Jiliang Jing},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.6505},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 6 figures, accepted for publication in JHEP. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1203.6620 by other authors