双光子碰撞中中性π介子对产生的高统计量研究

在$\gamma\gamma$质心系中，测量了$\gamma \gamma \to \pi^0 \pi^0$过程的微分截面，其运动学范围为能量0.6 GeV $< W < 4.1$ GeV，π介子散射角$|\cos \theta^*|<0.8$。结果基于Belle探测器在KEKB $e^+ e^-$对撞机上收集的223 fb$^{-1}$数据样本。在能量区间1.7 GeV $< W <$ 2.5 GeV对微分截面进行拟合，以确认G波中两个π介子的双光子产生。在更高能量区域，我们观察到$\chi_{c0}$粲偶素态的产生，并获得了其双光子衰变宽度与到$\pi^0\pi^0$分支比的乘积。我们还将观测到的中性π介子对和带电π介子对产生的角依赖性和截面比与QCD模型进行了比较。3.1 GeV以上的能量和角度依赖性与$\pi^+\pi^-$道中测量的结果一致，此外，我们发现截面比$\sigma(\pi^0\pi^0)/\sigma(\pi^+\pi^-)$在3.1-4.1 GeV区域平均值为$0.32 \pm 0.03 \pm 0.05$。