Ga掺杂LaMnO_3的高压行为：X射线衍射与光学光谱联合研究
强关联电子
2008-07-18 v1
摘要
通过X射线衍射和拉曼光谱，广泛研究了压力对LaMn_1-xGa_xO_3 (x=0.2, 0.3, 0.4) 家族中三种代表性化合物的Jahn-Teller畸变的影响。选取了完全JT畸变结构(x=0.2)、规则八面体(x=0.6)和中间构型(x=0.3)的化合物。在所有样品中均观察到压力诱导的正交Pbnm相向更高对称性结构的转变。拉曼和X射线数据均证实，压力的最重要结构效应是减小八面体畸变。还检测到与结构不稳定性相关的晶格参数行为特征的出现，指出了JT畸变在稳定锰氧化物结构中的关键作用。另一方面，不能声称高压相中JT畸变被完全抑制。从畸变更大的化合物(x=0.2, 0.3)收集的拉曼光谱清楚地揭示了在一定压力范围内畸变八面体和更规则八面体畴的共存。初步绘制了压力与Ga含量相图。
引用
@article{arxiv.0807.2848,
title = {High pressure behavior of Ga-doped LaMnO_3: a combined X-ray diffraction and optical spectroscopy study},
author = {M. Baldini and L. Malavasi and D. Di Castro and A. Nucara and W. Crichton and M. Mezouar and J. Blasco and P. Postorino},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.2848},
year = {2008}
}
备注
LateX v2.6, 9 pages with 10 figures