少层六方氮化硼中的高次谐波产生：从单层到体响应的演化
材料科学
2018-10-31 v2 光学
摘要
二维材料为研究高次谐波产生（HHG）提供了一个多功能的平台，其极限情形包含类体和类原子的谐波产生[Tancogne-Dejean and Rubio, Science Advance \textbf{4}, eaao5207 (2018)]。理解少层半导体体系的高次谐波响应十分重要，并可能开启潜在的技术应用。利用含时密度泛函理论框架下的广泛第一性原理计算，我们展示了二维材料的面内和面外非线性非微扰响应如何从单层演化到体。我们以多层六方氮化硼层状体系为例说明了这一现象。我们发现面内HHG不受层间堆叠的强烈影响，而面外响应受所考虑层数的强烈影响。这可由电子-电子相互作用诱导电场与对HHG信号贡献最大的波函数层间离域之间的相互作用来解释。我们还发现双层的滑移也会影响高次谐波发射。我们的结果将对单层及少层二维材料的实验研究产生重要影响，超越本文所研究的六方氮化硼的情形，因为我们所得结果具有普适性，适用于所有二维半导体多层体系。
引用
@article{arxiv.1807.02961,
title = {High-harmonic generation from few layer hexagonal boron nitride: evolution from the monolayer to the bulk response},
author = {Guillaume Le Breton and Angel Rubio and Nicolas Tancogne-Dejean},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.02961},
year = {2018}
}