光学成像的电子自能中的高能标
超导电性
2007-07-24 v2 强关联电子
摘要
我们使用一种新技术直接从光导率中提取准粒子自能的估计值，该估计值可以很容易地与理论和角分辨光电子能谱(ARPES)实验相关联。在高Tc铜氧化物Bi-2212中，我们发现了在900 meV处的一个新的高能标，此外还有两个先前已知的分别在约50和400 meV处的能标。最近在ARPES中观察到400 meV处的中间能标作为一个大的扭结，而光学发现该扭结较弱且有所移动。在YBCO中，这三个能标相对于Bi-2212向更低能量移动，并且我们观察到在600 meV处可能出现的第四个高能特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610488,
title = {High energy scales in electronic self-energy imaged by optics},
author = {J. Hwang and E. J. Nicol and T. Timusk and A. Knigavko and J. P. Carbotte},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610488},
year = {2007}
}
备注
Five pages 3 figures