具有稳健且可逆切换拓扑畴态的外延BiFeO3纳米点高密度阵列
材料科学
2020-06-03 v1
摘要
铁电体和多铁性材料中的奇异拓扑畴近年来因其新颖功能及在纳米电子器件中的潜在应用而广受关注。此类应用的关键挑战之一是实现高密度、稳健且可逆切换的纳米尺度拓扑畴态，其中自发拓扑结构可被单独寻址和控制。我们的工作利用横向尺寸小至约60 nm的外延BiFeO3（BFO）纳米点高密度阵列实现了这一点。我们展示了多种自发拓扑畴结构，包括中心汇聚畴、中心发散畴和双中心畴，它们在足够长时间内稳定，但可通过电场进行操控和可逆切换。这些拓扑畴态的形成机制得益于表面补偿电荷的积累，这也已被揭示。这些结果表明，这些可逆切换的拓扑畴阵列在高密度纳米铁电器件（如非易失性存储器）应用中具有广阔前景。
引用
@article{arxiv.1703.10335,
title = {High density array of epitaxial BiFeO3 nanodots with robust and reversibly switchable topological domain states},
author = {Zhongwen Li and Yujia Wang and Guo Tian and Peilian Li and Lina Zhao and Fengyuan Zhang and Junxiang Yao and Hua Fan and Xiao Song and Deyang Chen and Zhen Fan and Minghui Qin and Min Zeng and Zhang Zhang and Xubing Lu and Shejun Hu and Chihou Lei and Qingfeng Zhu and Jiangyu Li and Xingsen Gao and Jun-Ming Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.10335},
year = {2020}
}
备注
5 figures, 18 pages, plus supplementary materials