标量隔离机制下的希格斯粒子现象学

MSSM中轻希格斯粒子的质量受到高度约束，预计接近M_Z，这导致LEP II希格斯质量界限114 GeV与MSSM中自然的电弱对称性破缺之间存在张力。提高轻CP偶希格斯粒子质量的常用方法是增加上型希格斯粒子的四次耦合。我们指出，当tan beta适中（约5到10）时，可以通过减少质量矩阵中的非对角项来提高轻希格斯粒子的质量。结果，没有混合和/或出现符号相反的希格斯混合角，并且希格斯衰变的分支比发生剧烈变化。这在标量隔离机制中是可能的，在该机制中，μ参数可以独立于电弱对称性破缺而取大值。我们还讨论了BMSSM中的相同效应。