双栅极栅高电子迁移率晶体管对手性敏感的兆赫兹辐射探测
介观与纳米尺度物理
2015-09-30 v1
摘要
我们报道了在双栅极栅（DGG）InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP 高电子迁移率晶体管（HEMT）中观测到由兆赫兹（THz）辐射激发的对手性敏感的辐射光电流。对于圆偏振，源极和漏极接触间测得的电流随辐射手性的反转而改变符号。对于椭圆偏振辐射，总电流由不同权重的斯托克斯参数叠加描述。此外，通过改变施加到各个栅极的栅极电压，光电流可以仅由定义辐射手性的斯托克斯参数或定义线偏振的参数决定。我们证明，具有二维电子系统的人工非中心对称微周期结构在 THz 辐射激发下，会表现出由空间周期性面内势与空间调制光共同作用引起的直流光电流。该结果为应用 DGG HEMT 进行全电学探测辐射偏振态提供了原理验证。
引用
@article{arxiv.1507.01410,
title = {Helicity sensitive terahertz radiation detection by dual-grating-gate high electron mobility transistors},
author = {P. Faltermeier and P. Olbrich and W. Probst and L. Schell and T. Watanabe and S. A. Boubanga-Tombet and T. Otsuji and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.01410},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 4 figures