单向 lateral 超级结构中应变诱导势调制的谐波内容
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
对单向 lateral 超级结构中应变诱导势调制的谐波内容进行了详细分析。研究了周期从 a=92 到 184 nm 的共匝性振荡 (CO)。傅里叶分析揭示了对于 a>=138 nm (184 nm) 在低温下的第二 (和第三) 谐波以及基频振荡，表明势调制轮廓中存在相应的谐波。这些谐波在由于热衰减因子的低通滤波作用下以缩小幅度表现为 CO;经过对衰减效应的适当考虑，调制势的谐波被发现其振幅 V_2 和 V_3 可达基频分量 V_1 的约 30%，尽管二维电子气 (2DEG) 相对于表面的尺寸比例 a/d 小，其中 d = 99 nm。V_n 随 a 的依赖性表明基频分量 originate于表面，而更高次谐波则源于 Penetration 到次表面的应变效应。高次谐波的操控因此提供了一种将小尺寸调制引入深埋于晶片内部的高迁移率 2DEG 的有用技术。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505479,
title = {Harmonic Content of Strain-induced Potential Modulation in Unidirectional Lateral Superlattices},
author = {Akira Endo and Yasuhiro Iye},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505479},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 5 figures