$H\rightarrow Z\gamma$ 衰变与 $CP$ 违规

本研究考察了 $CP$ 违规对信号强度 $\mu^{Z\gamma}$ 的影响，后者由 LHC 实验报告为 $2.2\pm 0.7$。我们对 $CP$ 违反形成因子 $h_3^{Z\gamma}$ 的实部和吸收性实部施加约束，发现其均小于 1.15 GeV。此外，我们重新审视了 $H\rightarrow Z\gamma$ 衰变的领先序标准模型贡献，计算了由 $Z$ 玻色子和 $H$ 玻色子介导的弱相互作用复杂耦合对 $h_3^{Z\gamma}$ 的贡献。利用当前此类耦合的界限，我们发现由顶夸克和 charm 夸克在环中贡献的弱相互作用对 $h_3^{Z\gamma}$ 约为 $10^{-5}$ GeV。而在一种保持标准模型对希格斯衰变预测的新夸克模型中，$CP$ 违反形成因子 $h_3^{Z\gamma}$ 可达 $10^{-1}$ GeV 量级，足以解释信号强度 $\mu^{Z\gamma}$ 的超标现象。