$CP$ 违规与$HZZ$顶点的左-右不对称性

我们研究了来自希弗拉姆中性弱电位（FCNC）的$HZZ$顶点新贡献。我们的计算揭示了通过这些耦合可以诱导形式因子$h_2^V$和$h_3^V$（$V=H$, $Z$），我们以Passarino-Veltman标量函数的形式呈现结果。利用对$H\overline{t}c$和$Z\overline{t}c$耦合的当前限制，我们确定，$CP$保守形式因子$h_2^V$的新贡献相对于标准模型（SM）预测而言较小。然而，对于$CP$违规形式因子$h_3^V$，贡献可达$10^{-6}$，这五个数量级超过SM值。此外，我们检查了这些结果如何影响过程$H^*\to ZZ$和$Z^*\to ZH$中的左-右不对称性。我们的发现表明，在考虑FCNC贡献时，可能出现与SM预测的显著偏差。