在 GaAs 上溅射外延 NiMnSb 薄膜的生长、应变与自旋轨道力矩
材料科学
2021-02-03 v4 应用物理
摘要
我们报道了在市售外延就绪 GaAs 衬底上制备的外延 NiMnSb 薄膜中的电流诱导自旋力矩。NiMnSb 通过来自三个靶的共溅射并使用优化参数生长。将薄膜加工成微米尺度条带以进行电流诱导自旋力矩测量。由微波电流激发磁动力学，并测量沿条带的电压以分析电流诱导力矩的对称性。我们发现提取的自旋力矩对称性与四方畸变半 Heusler 晶体中自旋轨道相互作用所预期的对称性相符。在所有表征的样品中均观察到类场与类阻尼力矩，且电流诱导力矩的效率可与铁磁金属/重金属双层膜相媲美。
引用
@article{arxiv.2012.02568,
title = {Growth, strain and spin orbit torques in epitaxial NiMnSb films sputtered on GaAs},
author = {N. Zhao and A. Sud and H. Sukegawa and S. Komori and K. Rogdakis and K. Yamanoi and J. Patchett and J. W. A. Robinson and C. Ciccarelli and H. Kurebayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.02568},
year = {2021}
}