III 族氮化物半导体的生长、表征与热力学
材料科学
2022-09-07 v1 应用物理
摘要
III 族氮化物合金是宽禁带半导体，在发光二极管与激光二极管等光电子器件中具有广泛应用。铟镓氮发光二极管在过去十年中已成功制备。但绿光发光器件的进展受限于铟在合金中的掺入，主要源于相分离。这一困难可通过研究此类合金的生长与热力学加以解决。热力学相稳定性以及压力—温度—成分相图的知识，对于理解多种生长技术的边界条件十分重要。本学位论文采用三元合金体系的规则溶液模型，对铟镓氮的相分离进行了研究。针对一系列温度绘制了混合 Gibbs 自由能曲线。双节线与旋节线分解曲线显示了合金在平衡态下的稳定区与不稳定区。
引用
@article{arxiv.2206.01307,
title = {Growth, characterization, and thermodynamics of III-nitride semiconductors},
author = {Arlinda Hill},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.01307},
year = {2022}
}