具有非均匀 Rashba 自旋 - 轨道耦合的石墨烯 p-n 结
介观与纳米尺度物理
2012-06-29 v1
摘要
理论上研究了具有 Rashba 自旋 - 轨道耦合的基于石墨烯的 p-n 结的线性电导。使用方形势阶来模拟结，而耦合则是根据 Kane-Mele 模型 (C.L. Kane 和 E.J. Mele, Phys.Rev.Lett. 95, 226801(2005)) 引入的。主要目标是描述 Rashba 参数非均匀的结中的电子输运。当石墨烯被不对称地覆盖原子层时，或者当 Rashba 耦合强烈依赖于电场时，可能会出现这种非均匀性。结果表明，所考虑的非均匀性显著改变了电导，这一点最明显地表现为在特定势阶高度处出现的异常极小值。
引用
@article{arxiv.1206.6503,
title = {Graphene p-n junctions with nonuniform Rashba spin-orbit coupling},
author = {Marek Rataj and Józef Barnaś},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.6503},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 4 figures