低输入功率下石墨烯诱导的模式分岔
光学
2016-10-26 v4 材料科学
斑图形成与孤子
摘要
基于石墨烯非线性表面电导率的显式形式，我们分析研究了石墨烯包覆介质纳米线中的等离子体模式。不同等离子体模式的传播常数可通过几十分之一 mW 量级的输入功率进行调谐。下分支和上分支模式分岔在输入功率的极限值处相连。此外，由于石墨烯的非线性，不同输入功率下等离子体模式的色散曲线形成能带，这与零输入功率极限下的单一色散曲线形成鲜明对比。
引用
@article{arxiv.1505.02957,
title = {Graphene induced mode bifurcation at low input power},
author = {Rujiang Li and Xiao Lin and Hongsheng Chen and Shisheng Lin and Xianmin Zhang and Erping Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.02957},
year = {2016}
}