WS$_2$ 中一维缺陷由石墨烯驱动的关联电子态
材料科学
2025-07-09 v3
摘要
一维系统中的田宫–卢廷格液体（TLL）行为已被预测并证明出现在二维材料的半导体–金属相变处。关于一维缺陷承载费米液体或 TLL 的报道暗示了对底层衬底的依赖性，然而揭示来自衬底的电子贡献的物理细节需要交叉关联研究。在此，我们研究置于石墨烯之上的缺陷工程 WS 中的 TLL 形成，其中能带结构与原子环境通过纳米角分辨光电子能谱、扫描隧道显微与谱学以及非接触原子力显微镜可视化。局域态密度与电子能带色散之间的关联阐明了从石墨烯向一维金属（1DM）缺陷所承载的 TLL 中的电子转移。看来，石墨烯的垂直异质结构以及由石墨烯向 1DM 的诱导电荷转移对 TLL 的形成至关重要。
引用
@article{arxiv.2301.02721,
title = {Graphene-driven correlated electronic states in one dimensional defects within WS$_2$},
author = {Antonio Rossi and John C. Thomas and Johannes T. Küchle and Elyse Barré and Zhuohang Yu and Da Zhou and Shalini Kumari and Hsin-Zon Tsai and Ed Wong and Chris Jozwiak and Aaron Bostwick and Joshua A. Robinson and Mauricio Terrones and Archana Raja and Adam Schwartzberg and D. Frank Ogletree and Jeffrey B. Neaton and Michael F. Crommie and Francesco Allegretti and Willi Auwärter and Eli Rotenberg and Alexander Weber-Bargioni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.02721},
year = {2025}
}