石墨烯及其部分结构类似物：全势密度泛函理论计算
介观与纳米尺度物理
2013-05-30 v1 材料科学
摘要
利用全势密度泛函计算，我们研究了石墨烯及其部分结构类似物（即 SiC、GeC、BN、AlN、GaN、ZnO、ZnS 和 ZnSe 的单层 (ML)）的结构与电子性质。虽然我们的计算证实了基于不同方法报道的部分结果，但关于 ZnSe、ML-GeC、ML-AlN、ML-GaN、ML-ZnO 和 ML-ZnS 的二维体模量，以及这些二元单层中电荷载流子的有效质量的结果则是全新的。随着合成技术的当前进展，部分这些新材料可能在不久的将来被合成，以应用于纳米器件。
引用
@article{arxiv.1303.3885,
title = {Graphene and Some of its Structural Analogues: Full-potential Density Functional Theory Calculations},
author = {Gautam Mukhopadhyay and Harihar Behera},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3885},
year = {2013}
}
备注
16 pages including the cover page, 6 figures. A lot of errors (some of which are significant) in published version in the "World Journal of Engineering" have been rectified in this e-print version