原子级薄磁双层结构中的巨自旋转移矩

在腔量子电动力学中,光子在两镜之间定义腔体的多次反射被用来增强腔内原子与光的耦合。我们表明,这种增强飞行粒子与局域物体相互作用的范式可推广到基于范德瓦耳斯二维磁体的自旋电子学。在隧穿通过磁性双层结构时,我们发现每个入射电子的自旋转移矩可比 $\hbar/2$ 大数个数量级,这得益于电子作为角动量转移中介在铁磁单层间的多重反射路径。在隧穿共振附近的宽能量范围内,每个隧穿电子的阻尼型自旋转移矩具有 $\frac{\hbar}{2} \tan{\frac{\theta}{2}}$ 的普适值,仅取决于磁化强度之间的夹角 $\theta$。这些发现拓展了基于范德瓦耳斯磁体的高性能、高密度存储的磁化操控范畴。