拉曼散射生成自旋电流
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
我们在理论上表明，激励自旋翻转的拉曼散射可用于在带有自旋能级分裂的掺杂半导体中注入自旋电流。在锌盆晶体和结构中，可以注入一种纯自旋电流，即方向相反的自旋以相反的方向移动。计算得到的自旋电流应可通过泵浦-探测光谱学和异常霍尔效应测量检测到。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508230,
title = {Generation of spin currents via Raman scattering},
author = {Ali Najmaie and E. Ya. Sherman and J. E. Sipe},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508230},
year = {2009}
}