二维异质结构中门控的马约拉纳零模
介观与纳米尺度物理
2018-07-10 v2
摘要
半整数电导作为马约拉纳边缘模的标志，最近在量子反常霍尔绝缘体/超导体异质结构中被观测到。在此，我们分析了一种在薄膜拓扑超导体中门控可调控制马约拉纳零模（MZM）简并基态的方案。对薄膜磁性拓扑绝缘体的顶面施加门控，可控制门控下方区域的拓扑相。相变电压取决于门控宽度，较窄的门控需要更高的电压。需要相对较长的门控（约微米量级），以防止端模杂化并允许在低门控电压下产生 MZM。对 T 形和 I 形门控施加电压可将马约拉纳束缚在其端点。该方案可能为实现拓扑量子计算的量子门提供一种简便方法。
引用
@article{arxiv.1803.05125,
title = {Gate controlled Majorana Zero Modes on 2D heterostructures},
author = {Nima Djavid and Gen Yin and Yafis Barlas and Roger Lake},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.05125},
year = {2018}
}