拓扑绝缘体表面的最快本征光学过程
介观与纳米尺度物理
2018-09-26 v1
摘要
我们预测,强光学脉冲的一次振荡即可显著布居三维拓扑绝缘体 Bi2Se3 的表面导带。线偏振与圆偏振脉冲均在表面布里渊区中产生具有手性纹理的布居干涉条纹。这些条纹构成了一种自参考电子全息图,携带表面 Bloch 能带拓扑结构的信息,特别是低能哈密顿量中翘曲项的作用。这些电子干涉现象与石墨烯形成鲜明对比:石墨烯中线偏振脉冲不产生手性纹理,圆偏振脉冲不产生干涉条纹。这些预测的倒空间电子布居纹理可通过时间分辨角分辨光电子能谱(TR-ARPES)进行实验测量,从而直接获取拓扑绝缘体表面的非阿贝尔 Berry 曲率。
引用
@article{arxiv.1807.02139,
title = {Fundamentally fastest optical processes at the surface of a topological insulator},
author = {S. Azar Oliaei Motlagh and Jhih-Sheng Wu and Vadym Apalkov and Mark I. Stockman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.02139},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 10 figures