计算 transmon 量子比特自发辐射率的全波方法
量子物理
2022-01-13 v1
摘要
自发辐射率(SER)是任何量子比特(qubit)的一项重要品质因数，因为它在量子比特的控制与退相干中可起重要作用。因此，准确表征实用器件的 SER 是量子信息处理器件设计中的重要一步。此处我们具体关注实验上流行的 transmon 量子比特平台，它是一种超导电路量子比特。尽管理解这些量子比特的 SER 十分重要，但其通常利用近似电路模型确定，或从已制备器件的测量中推断。为提高设计过程中预测的准确度，最好使用全波数值方法，该方法能在描述实际系统时做出最少的近似。本工作中，我们展示了如何借助最近发展的、与电磁环境耦合的 transmon 量子比特的基于场的描述来实现这一点。我们通过计算与文献中已充分实验表征的类似器件的 SER 来验证我们的模型。我们进一步在适当时通过与简化的集总元件电路和传输线模型比较来交叉验证结果。
引用
@article{arxiv.2201.04244,
title = {Full-Wave Methodology to Compute the Spontaneous Emission Rate of a Transmon Qubit},
author = {Thomas E. Roth and Weng C. Chew},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.04244},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 9 figures