逆向近邻耦合磁性掺杂拓扑异质结构中的 Fulde-Ferrell 态
超导电性
2017-08-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了与磁性掺杂拓扑绝缘体(TI)近邻耦合的薄膜 BCS 超导体的超导性质。利用平均场理论，我们表明通过逆向近邻效应(IPE)可以在常规超导体中诱导出 Fulde-Ferrell(FF)配对。当 TI 对超导体的 IPE 足够大，使得超导体的正常能带具有近邻诱导的自旋轨道耦合和磁化时，就会出现这种情况。我们发现不同配对的能量学依赖于 TI 与 BCS 超导体之间的耦合强度以及超导体薄膜的厚度。随着超导体薄膜厚度的增加，我们发现了从 FF 配对到 BCS 配对相的转变。这是超导能带数量增加的结果，这些能带有利于 BCS 配对，这意味着 FF 相只能在薄膜极限下被观察到。此外，我们还提出了显示 FF 相明显特征的输运实验。
引用
@article{arxiv.1702.07383,
title = {Fulde-Ferrell States in Inverse Proximity Coupled Magnetically-Doped Topological Heterostructures},
author = {Moon Jip Park and Junyoung Yang and Youngseok Kim and Matthew J. Gilbert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.07383},
year = {2017}
}