利用熔剂与坩埚间反应的助熔剂生长

助熔剂生长（Flux growth）涉及将目标化合物的组分在高温下溶解于适当的熔剂中，然后在通过冷却或蒸发熔剂控制的过饱和度下结晶。通常使用耐火坩埚容纳高温熔体。熔体与坩埚材料之间的反应会改变熔体组成，通常导致生长失败或污染晶体。因此，设计助熔剂生长的一个原则是选择合适的熔剂和坩埚材料从而避免它们之间的任何反应。本文中，我们综述了两个助熔剂生长的案例，其中熔剂与 Al$_2$O$_3$ 坩埚之间的反应调节熔体中的氧含量并有助于所需组成的结晶。对于 La$_5$Pb$_3$O 的情况，Al$_2$O$_3$ 坩埚氧化 La 形成钝化的 La$_2$O$_3$ 层，其不仅阻止熔体中 La 的进一步氧化，还向熔体提供 [O]。对于 La$_{0.4}$Na$_{0.6}$Fe$_2$As$_2$ 的情况，认为 Al$_2$O$_3$ 坩埚与 NaAsO$_2$ 反应，该反应消耗熔体中的氧从而维持无氧环境。