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双蒽衍生物中通过高能三重态反向系间窜越的荧光

材料科学 2016-09-21 v1 化学物理

摘要

为了阐明以双蒽衍生物 BD1 为发光分子的有机发光二极管所观察到的高外量子效率,采用时间依赖密度泛函理论计算了 BD1 激发态之间控制非辐射跃迁速率的非对角振动电子耦合常数(VCCs)。基于振动电子耦合密度的概念对 VCCs 进行了分析。VCC 计算暗示了一种经由较高三重态的荧光(FvHT)机制,其需要将电激发过程中产生的 T4_4 激子通过反向系间窜越(RISC)转换为 S2_2 激子;此外,由于 S2_2 与 S1_1 之间的强振动电子耦合,S2_2 激子弛豫为发光的 S1_1 激子。只要高于 T1_1 的三重态向低能态的弛豫被抑制,该机制就成立。我们先前研究提出的对称性控制热活化延迟荧光(SC-TADF)和反演单重态与三重态(iST)结构,是需要高分子对称性的 FvHT 机制的特殊例子。然而,尽管 BD1 具有不对称结构,却实现了 FvHT 机制。讨论了具有如 BD1 的伪简并电子结构的分子中抑制辐射和非辐射跃迁的一般条件。还提出了一个上位概念,即经由 RISC 的荧光,其包含 TADF、SC-TADF、iST 结构和 FvHT。

关键词

引用

@article{arxiv.1609.06122,
  title  = {Fluorescence via Reverse Intersystem Crossing from Higher Triplet States in a Bisanthracene Derivative},
  author = {Tohru Sato and Rika Hayashi and Naoki Haruta and Yong-Jin Pu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1609.06122},
  year   = {2016}
}