NdNiO2 中涨落受阻的平带不稳定性
超导电性
2020-09-22 v2 材料科学
强关联电子
摘要
具有 CaCuO 无限层结构的 NdSrNiO 在空穴掺杂水平 =0.2 附近于 15 K 以下超导的发现,提出了其基础电子与磁过程的关键问题。我们所针对的未解基本特征是:在 =0 时,与强反铁磁(AFM)的 CaCuO 相反,具有相同结构和形式 构型的 NdNiO 不发生 AFM 序。我们不以常规方式——作为能量上不利或受阻的磁序——研究此问题,而是作为 AFM 相自身的不稳定性来研究。我们能够获得静态 AFM 有序态,但发现一个平带、一维般的范霍夫奇点(vHs)被钉扎在费米能级上。这种情况在非零半填充、有效两带系统中是不寻常的。该 vHs 使 AFM 相对自旋密度失均、呼吸与半呼吸晶格畸变,以及(固有或寄生)电荷密度失均不稳定。这些平带不稳定性作为单带铜酸盐模型的远亲,从而抑制但未消除低温下的初生 AFM 倾向。主要特征是,一对活跃能带(、)消除了半填充物理,并由于不稳定性排除了在 CaCuO 中见到的 AFM 相。这一具有 Ni 轨道强参与、强 AFM 关联的导电磁自旋液体相,构成了 NdNiO 中超导的平台。
引用
@article{arxiv.2005.03234,
title = {Fluctuation-frustrated flat band instabilities in NdNiO2},
author = {Mi-Young Choi and W. E. Pickett and K. -W. Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.03234},
year = {2020}
}
备注
8 pages