味依赖规范辐射中微子质量模型

我们提出了一个由无反常味依赖规范对称性 $\mu$ 减 $\tau$ 对称性 $U(1)_{\mu-\tau}$ 诱导的单圈辐射中微子质量模型。通过引入一个破坏 $U(1)_{\mu-\tau}$ 对称性的弱同位旋单态标量玻色子、一个惰性双重态标量场以及三个右手中微子（标准模型中的场之外），可获得满足当前实验数据的中微子质量矩阵。我们发现中微子质量矩阵中出现特征结构：双零纹理形式，其由两个不同的质量平方差和三个混合角这五个已精确测量的实验输入预言了三个非零中微子质量和三个非零CP相位。此外，我们阐明模型中仅允许反质量 hierarchy（倒置质量层级）。在中微子 sector 的有利参数集下，实验数据与标准模型预言之间的缪子反常磁矩偏差，可由质量约为100 MeV、新规范耦合约为 $10^{-3}$ 的额外中性规范玻色子圈贡献来解释。