石墨化 C$_4$N$_3$ 单层中基于平带的铁磁半导体态
材料科学
2022-08-15 v1 其他凝聚态物理
摘要
提出了一组基于已知蜂窝晶格含单空位缺陷(HL-D-1/2N)的六方 超晶格的新晶格模型,以实现非平庸的孤立平带。通过紧束缚与密度泛函理论计算,我们证明实验已实现的石墨化碳氮化物(Adv. Mater., 22, 1004, 2010; Nat. Commun., 9, 3366, 2018),即基于 HL-D-1/8 的 CN,是承载此类平带的理想体系。对于平带高能的 P-6m2 CN 结构,它表现出与孤立平带无关的铁磁半金属性。然而,P-6m2 CN 结构在动力学上不稳定。利用基于群论与图论的结构搜索方法,我们发现一种新的波纹状 Pca21 C4N3 结构在所有已知 CN 结构中能量最低。该 Pca21 CN 结构是一种本征铁磁半半导体(Tc241 K),具有一个半导体自旋通道(1.75 eV)与一个绝缘自旋通道(3.64 eV),这在二维(2D)体系中颇为罕见。其铁磁半导体性质源于孤立的 p 态平带,因为波纹化使平带向上移至费米能级。有趣的是,该 Pca21 CN 结构被发现具有压电与铁电性,这使得 CN 成为一种罕见的无过渡金属二维多铁材料。
引用
@article{arxiv.2208.06065,
title = {Flat-band based ferromagnetic semiconducting state in the graphitic C$_4$N$_3$ monolayer},
author = {Chaoyu He and Yujie Liao and Tao Ouyang and Huimin Zhang and Hongjun Xiang and Jianxin Zhong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.06065},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 4 fingures