GePbSe 中带隙调控的第一性原理研究
材料科学
2023-10-31 v1
摘要
窄带隙及其调控是材料技术应用的重要方面。在此背景下，IV-VI 族半导体是引人关注的候选材料之一。本文中，我们探索通过该族成员 GeSe 的等电子 Pb 掺杂来实现带隙调控的可能性。我们的研究是基于第一性原理的 GePbSe 电子结构计算。该研究表明，GeSe 中 Ge-p 与 Se-p 态强杂化，并在 GeSe 的费米能级 Ef 处呈现态密度中的带隙。该带隙随 Pb 掺杂量的增加系统性减小，同时 Ef 附近态增强。这导致通过 Pb 掺杂对 GeSe 的间接带隙进行调控。间接带隙减小的结果与实验发现一致。我们提出一种机制，其中掺杂 Pb 阳离子的静电效应可能是 GeSe 电子结构这些变化的成因。
引用
@article{arxiv.2310.19165,
title = {First principles study of bandgap tuning in GePbSe},
author = {Himanshu Lohani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.19165},
year = {2023}
}