氕在硅(001)表面的第一性质计算
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
本文报告了对氕原子沉积于技术上相关的(001)取向硅表面上的电子结构计算的最新进展。我们确定了从零到四分之三单层的表面重构，并将其与实验报告的数据相关联。提出了相图。我们预测了在1/6、1/4、1/2、2/3和1单层的相态。预计这些结果将为理解以SrTiO3为代表的广泛类高K氧化物的异晶生长提供有价值的信息。对于氕的洞察预计可推广至其他碱金属金属。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308621,
title = {First-principles calculations of strontium on Si(001)},
author = {Christopher R. Ashman and Clemens J. Foerst and Karlheinz Schwarz and Peter E. Bloechl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308621},
year = {2007}
}