Ge25As10Se65薄膜温度依赖的光致响应的首次观测
材料科学
2015-09-25 v1 光学
摘要
富Ge三元硫系玻璃(ChG)在带隙光照射下表现出光漂白(PB)，该效应源于本征结构变化与光氧化的联合作用。与这些先前观察截然相反，本通讯中我们首次证明富Ge的Ge25As10Se65 ChG薄膜在20 K连续光照约3小时时表现出光暗化(PD)，而在300 K和420 K时表现出PB。惊人的是，PD/PB的时间演化在光照温度下展现出明显不同的特征，并为光诱导的结构变化提供了有价值的信息。此外，结构特定的远红外(FIR)吸收测量给出了在对比温度下参与PD/PB的不同结构单元的直接证据。通过比较真空与空气中的光诱导效应，我们得出结论：在观察到的Ge25As10Se65 ChG薄膜的PB中，本征结构变化主导于光氧化。
引用
@article{arxiv.1509.07412,
title = {First observation of temperature dependent lightinduced response of Ge25As10Se65 thin films},
author = {Pritam Khan and Rituraj Sharma and Uday Deshpande and K. V. Adarsh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.07412},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures