硅中不稳定层错自由能的有限温度分子动力学研究
材料科学
2009-10-31 v2
摘要
我们使用最近发展的环境相关原子间势（EDIP），计算了硅中滑移面和 shuffle 滑移面上不稳定层错（USF）构型的自由能随温度的变化。我们采用分子动力学（MD）绝热切换方法，并辅以适当的周期性边界条件和对原子运动的限制，以保证稳定性，并包含USF构型垂直于滑移面的体积弛豫。我们使用EDIP模型的MD结果与早期关于shuffle到滑移面主导性随温度转变的第一性原理估计相当吻合。我们利用这些结果与脆-韧转变模型建立联系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9808204,
title = {Finite temperature molecular dynamics study of unstable stacking fault free energies in silicon},
author = {M. de Koning and A. Antonelli and Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F. Justo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9808204},
year = {2009}
}
备注
6 pages revtex, 4 figs, 16 refs, to appear in Phys. Rev. B