基于第一性原理计算研究有限温度效应对 Si 掺杂 HfO$_{2}$ 结构稳定性的影响
材料科学
2023-07-12 v1
摘要
采用一种计算方案分析了有限温度下 Si 掺杂 HfO 的单斜相与四方相的结构稳定性，以评估杂质掺杂的影响。本工作中考虑的有限温度效应代表了晶格振动与杂质构型效应。结果表明，6% 的 Si 掺杂在室温下稳定了四方相，尽管在零温度下需要更高浓度的 Si 才能稳定四方相。这些数据表明，晶格振动与杂质构型效应是决定有限温度下结构稳定性的重要因素。
引用
@article{arxiv.2303.14891,
title = {Finite temperature effects on the structural stability of Si-doped HfO$_{2}$ using first-principles calculations},
author = {Yosuke Harashima and Hiroaki Koga and Zeyuan Ni and Takehiro Yonehara and Michio Katouda and Akira Notake and Hidefumi Matsui and Tsuyoshi Moriya and Mrinal Kanti Si and Ryu Hasunuma and Akira Uedono and Yasuteru Shigeta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.14891},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 3 figures