薄膜边缘非局域自旋阀

自旋电子学是集成电路数字电子学的新范式。它最近被确立为非易失性磁性随机存取存储器(MRAM)的利基领域，在提供新功能的同时展示了低功耗和高速性能。然而，为了达到高密度，自旋电子技术必须向纳米尺度过渡。目前的原型器件采用平面几何结构制造，其面积由光刻特征尺寸决定，目前约为100 nm。在此，我们提出了一种新的非平面几何结构，其中一个横向尺寸由薄膜厚度给出，量级为10 nm。采用这种新方法，单元尺寸可以缩小一个数量级。该几何结构通过非局域自旋阀得到演示，其中我们研究了注入器/探测器间距远小于自旋扩散长度的器件。