纳米结构中的场致成核
介观与纳米尺度物理
2018-04-12 v1
摘要
我们预测了存储器与开关器件中纳米薄介电层上导电细丝的场致成核（FIN）概率。我们分析的新颖之处在于处理了厚度低于临界成核长度的介电层。我们展示了后一约束如何使FIN成为一种真正的阈值现象，仅当电压（而非电场）超过某一不依赖于介电层厚度的临界值时才可能发声。我们的分析预测了在特定依赖于厚度的电压下无记忆阈值开关的可能性。同时，电子开关的热失控机制被解析描述，所得结果与早先发表的数值建模一致。我们的预测提供了通过实验验证来区分FIN与热失控开关的可能性。
引用
@article{arxiv.1804.03754,
title = {Field induced nucleation in nano-structures},
author = {V. G. Karpov and Dipesh Niraula},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.03754},
year = {2018}
}
备注
8 pages