少数单层的氧化钇掺杂氧化锆薄膜：偏析与相稳定化
材料科学
2020-02-26 v1
摘要
在大多数应用中，氧化锆（ZrO2）需用氧化钇掺杂。掺杂可稳定四方或立方相，并提高氧离子电导率。然而，以往大多数关于氧化钇掺杂氧化锆的表面研究都受杂质困扰。我们通过 X 射线光电子能谱（XPS）、扫描隧道显微镜（STM）和低能电子衍射（LEED），研究了 Rh(111) 上纯的 5 单层 ZrO2 薄膜的掺杂。STM 和 LEED 表明，即使薄膜基本完全氧化（由 XPS 芯能级位移证实），四方相也可由低至 0.5 mol% Y2O3 的意外低掺杂浓度稳定。XPS 还显示 Y 向表面偏析，估计偏析焓为 \,kJ/mol。
引用
@article{arxiv.2001.07395,
title = {Few-monolayer yttria-doped zirconia films: Segregation and phase stabilization},
author = {Peter Lackner and Amy J. Brandt and Ulrike Diebold and Michael Schmid},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.07395},
year = {2020}
}
备注
Accepted for Journal of Chemical Physics