对称三量子点的法诺稳定性图
介观与纳米尺度物理
2017-03-22 v2
摘要
分析了具有 C 对称性的三角形量子点在电子填充数 增加时的法诺因子稳定性图。在低填充下，发现了常规的泊松分布和亚泊松分布行为。在较大填充下（），电子 - 空穴对称性的破缺表现为超泊松噪声，且法诺因子在库仑阻塞和干涉阻塞处具有特殊的偏置电压依赖性。对法诺图的解析揭示了由简并多体态结合轨道干涉和库仑相互作用产生的非平凡电子成团机制。针对通用的 给出了相关暗态的表达式。
引用
@article{arxiv.1610.08447,
title = {Fano stability diagram of a symmetric triple quantum dot},
author = {Michael Niklas and Andreas Trottmann and Andrea Donarini and Milena Grifoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.08447},
year = {2017}
}