利用电学手段促进磁性纳米线中的畴壁注入

我们研究了如何利用电学手段促进手性铁磁纳米线中畴壁的注入。我们计算了将畴壁注入纳米线所需的临界电流密度，该密度依赖于材料参数以及相互作用来源，包括自旋转移矩和自旋轨道矩。我们证明 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用能显著降低注入受该相互作用偏好的畴壁类型所需的临界电流。我们发现，在手性磁体中，仅能通过自旋轨道矩甩出单个畴壁，因为它们改变了系统的基态取向。相比之下，对于自旋转移矩诱导的畴壁甩出，我们表明两种不同畴壁手性分别存在两个不同的临界电流密度。此外，对于利用自旋转移矩连续产生畴壁，我们发现畴壁间的相互作用不可忽略，甚至可能导致连续、具有相反手性的畴壁发生成对湮灭。