用于天体物理 p-过程研究的$^{108}$Cd 靶的制备
仪器与探测器
2024-02-28 v1 核实验
摘要
本文描述了利用真空蒸发技术在聚酯薄膜和铜背衬上制备富集Cd 靶的详细过程。这些靶材被用于一项实验，以测量远低于库仑势垒能量下的质子俘获截面，用于天体物理 p-过程研究。由于镉的熔点低且蒸气压高，我们对 Telemark 多口袋电子束装置进行了一些调整。靶厚度是通过测量来自三重源的粒子能量损失以及通过 RBS 测量来确定的。Cd 薄膜的厚度在 290 至 660 g/cm之间变化，不均匀度约为 10。进行了 X 射线光电子能谱 (XPS) 和 X 射线荧光 (XRF) 分析，以检查杂质的存在并评估表面形貌、相态和化学成分。
引用
@article{arxiv.2402.16856,
title = {Fabrication of $^{108}$Cd target for the astrophysical p-process studies},
author = {Sukhendu Saha and Mousri Paul and Lalit Kumar Sahoo and Dipali Basak and Tanmoy Bar and Jagannath Datta and Sandipan Dasgupta and G. L. N. Reddy and Chinmay Basu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.16856},
year = {2024}
}