用于量子计算的超导电路QED器件的制备与表征
超导电性
2016-11-18 v1
摘要
我们介绍了电路量子电动力学（cQED）器件的制备和表征程序。我们制作了品质因数在10^4--10^6范围内的3 GHz腔体，这允许进入cQED的强耦合区域。这些腔体是通过光刻法制成的传输线谐振器。它们通过间隙电容器耦合到输入和输出端口。基于Al的库珀对盒通过电子束光刻和Dolan桥双角度蒸发在高品质因数的超导谐振器中制成。一个重要的问题是表征谐振器的品质因数。我们提出了超导谐振器随温度和磁场变化的射频表征。通过使用不同的电介质和改变盒的几何形状，我们实现了具有不同盒-腔耦合的系统版本。此外，cQED方法可以用作量子比特内部损耗的诊断工具。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411708,
title = {Fabrication and characterization of superconducting circuit QED devices for quantum computation},
author = {Luigi Frunzio and Andreas Wallraff and David Schuster and Johannes Majer and Robert Schoelkopf},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411708},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 6 figures, Applied Superconductivity Conference 2004