纳米自旋电子器件的制备与表征
介观与纳米尺度物理
2014-05-06 v1
摘要
我们报道了一种改进的碳基纳米自旋电子器件制备方案，并论证了为探究导致磁阻的基本物理机制而进行仔细数据分析的必要性。采用低密度聚合物和优化工艺，我们提高了侧向碳纳米管 (CNT) 量子点自旋阀器件上铁磁坡莫合金接触的电学、磁学和结构质量，其结果与材料的热沉积和溅射沉积相当。我们表明，自旋电子纳米结构需要扩展的数据分析，因为磁化强度会影响电导特征的所有特征参数，并导致看似反常的自旋输运。此外，我们报道了关于 CNT 量子点自旋阀的测量结果，这些结果似乎与此类结构中自旋输运的正统理论不相容。
引用
@article{arxiv.1312.0159,
title = {Fabrication and characterisation of nanospintronic devices},
author = {J. Samm and J. Gramich and A. Baumgartner and M. Weiss and C. Schoenenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.0159},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 5 figures