扩展的声子坍缩与 NbSe$_2$ 中电荷密度波的起源
强关联电子
2011-11-01 v1
摘要
我们报告了典型电荷密度波（CDW）化合物 NbSe2 中声子色散温度依赖性的非弹性 X 射线散射测量结果。令人惊讶的是，声学声子软化至零频率并在 CDW 波矢周围的扩展区域内变得过阻尼。这种扩展的声子坍缩与费米面嵌套所预期的声子色散中的尖锐尖角截然不同。相反，我们的实验结合从头算表明，正是电子-声子耦合的波矢依赖性驱动了 NbSe 中 CDW 的形成并决定了其周期性。这一机制解释了迄今为止 NbSe 中 CDW 令人费解的行为，并可能为电子-声子耦合起重要作用的其他强关联系统提供新途径。
关键词
引用
@article{arxiv.1103.5755,
title = {Extended Phonon Collapse and the Origin of the Charge-Density-Wave in NbSe$_2$},
author = {F. Weber and S. Rosenkranz and J. -P. Castellan and R. Osborn and R. Hott and R. Heid and K. -P. Bohnen and T. Egami and A. H. Said and D. Reznik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.5755},
year = {2011}
}