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基于$T$门数量的量子电路强模拟显式下界

量子物理 2019-02-26 v2 计算复杂性

作者: Cupjin Huang , Michael Newman , Mario Szegedy

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摘要

我们研究具有少量 $T$ 门的Clifford+ $T$ 量子电路。利用稀疏化引理，我们确定了以 $T$ 门数量表示的强模拟器时间复杂度下界，低于该下界则强模拟器将改进最先进的 $3$ -SAT求解。

关键词

量子电路强模拟 Clifford+T T门数量下界稀疏化引理

引用

@article{arxiv.1902.04764,
  title  = {Explicit lower bounds on strong simulation of quantum circuits in terms of $T$-gate count},
  author = {Cupjin Huang and Michael Newman and Mario Szegedy},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1902.04764},
  year   = {2019}
}

备注

Combined with arxiv:1804.10368 and submitted for publication. Similar results have been obtained recently in arxiv:1901.01637 independently