厚靶材料的高能电子明场与暗场成像实验
加速器物理
2018-07-18 v1 仪器与探测器
摘要
在极端温度和压力状态下，利用高能电子束对高密度物质进行成像，同时实现高时空分辨率和面密度分辨率，是高能量密度物理学的关键挑战之一。当带电粒子束穿过不透明靶时，其散射分布取决于材料的厚度。通过在近轴或离轴位置收集散射束，可分别获得所谓的明场或暗场图像。本文报道了一项使用 S 波段光电注入器产生的 45 MeV 电子束进行的电子辐射照相实验，其中与样品发生相互作用后的散射电子由四极子成像系统收集并成像。对于厚度为 300-600 微米的硅靶，我们实现了数微米（约 4 微米）的空间分辨率和约 10 微米的厚度分辨率。通过附加选取大散射角电子捕获的暗场图像，我们表明可以获得更多用于确定外部细节（如轮廓、边界和缺陷）的有用信息。
引用
@article{arxiv.1705.09810,
title = {Experiments on bright field and dark field high energy electron imaging with thick target material},
author = {Zheng Zhou and Yingchao Du and Shuchun Cao and Zimin Zhang and Wenhui Huang and Huaibi Chen and Rui Cheng and Zhijun Chi and Ming Liu and Xiaolu Su and Chuanxiang Tang and Qili Tian and 1 Wei Wang and Yanru Wang and Jiahao Xiao and Lixin Yan and Quantang Zhao and Yunliang Zhu and Youwei Zhou and Yang Zong and Wei Gai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.09810},
year = {2018}
}
备注
7pages, 7 figures