用于量子存储器的超辐射与慢光效应实验

本文在潜在的量子存储材料中研究了高光学深度现象（如超辐射）的效应。研究结果可能与多种方案相关，包括基于使用系综作为存储介质的CRIB、AFC和基于EIT的量子存储器。结果表明，即使在 $\alpha L < 5$ 的中等数值下，也存在强烈的超辐射效应（表现为衰减率大于 $1/T_2^*$），并且该效应随 $\alpha L$ 的增加而增强。对于更高的 $\alpha L$，我们演示并讨论了失谐慢光等效应，最后，测试了时间反演优化输入脉冲的效率。达到了约20%的最大提取效率，并讨论了与理论预期结果的一致性。