单光子态的相对纠缠势实验研究

纠缠势（EPs）通过测量分束产生的纠缠，能够表征和量化单模光场的非经典性。我们实验生成了单光子态，并通过层析方法重建了相应的双量子比特态，以确定由流行的双量子比特纠缠度量定义的纠缠势。这些度量包括相对熵纠缠势（REEP）、并发纠缠势和负性纠缠势。在我们的实验态中，我们发现某些态（至少在某些参数范围内）非常接近相对纠缠势（或相对非经典性）的理论上下界，即当一个纠缠势在给定另一个纠缠势的值时被最大化或最小化。我们实验证实了文献 [Phys. Rev. A 92, 062314 (2015)] 中反直觉的理论结果，即单光子态的相对非经典性（具体而言，在给定 REEP 值下的负性势）可以通过耗散增加。