QCD 分子化中 B 介子排放衰变的专属性

我们在标准模型下讨论 QCD 分子化中包含的排放衰变。具体而言，我们考虑 B 衰变为含有介子 K* 或 rho 的 Vγ，以及双光子衰变 B_s → γγ 和 B_d → γγ。在夸克层面，这些衰变由弱变更中性电流 b → sγ 或 b → dγ 过程支配，这些过程在标准模型中以一圈级出现。这种过程允许我们研究 CP 违反及强相互作用与电磁相互作用之间的相互作用，确定 CKM 矩阵参数，并寻找新物理。排放衰变在实验上更易被访问，但在理论分析上提出了更多问题。重量-夸克极限 m_b >> Lambda_QCD，然而，允许系统地将可扰动计算的硬散射核从非扰动型形式因子和普适光锥分布幅度中分离。对于 B → Vγ 衰变，我们评估了 Lambda_QCD/m_b 贡献的主导项，完整到 QCD 中的下一级次精度，包括也 QCD 飞子算符。双光子 B → γγ 衰变以领先对数精度进行分析。我们预测分支比、CP 和 isospin 非对称性，并为 B → K*γ 和 B → ργ 估计 U-旋弱效应。对于 B → γγ 衰变，我们给出分支比和 CP 非对称性的数值结果。