共线因子化框架下夸克偶素对的排他性产生

本文中，我们在共线因子化框架下分析重夸克偶素对的排他性光生。我们在强耦合$\alpha_{s}$的领头阶评估了$J/\psi\,-\eta_{c}$夸克偶素对过程的振幅，并将其用质子中胶子的广义部分子分布（GPDs）表示。我们在电子离子对撞机运动学下做了数值估计，发现当光子的虚度远小于夸克偶素质量时，在光生区间内该过程的截面足够大以供实验研究。我们表明，对该通道的研究可补充现有来自其他通道的胶子GPD研究。