T2HDM 中 $B \to V \gamma$ 衰变的排他性过程

通过采用 $B \to V \gamma$ 衰变的 QCD 因子分解方法，我们计算了由 T2HDM 中出现的带电 Higgs 袋图所导致的 $B \to K^* \gamma$ 与 $B \to \rho \gamma$ 衰变的 branching 比、CP 偏振、isospin 与 U-旋道破缺。 在所考虑的参数空间中，我们发现：(a) 质量大于 300 GeV 的带电 Higgs 玻色子始终被 $B \to V \gamma$ 衰变的数据所容许，此下限与来自包容性 $B \to X_s \gamma$ 衰变所得的下限相当；(b) T2HDM 中 $B \to \rho \gamma$ 的 CP 偏振可达 10% 大小，并对角度 $\theta$ 与 CKM 角 $\gamma$ 强烈依赖；(c) T2HDM 中 $B \to V \gamma$ 衰变的 isospin 破缺通常在规模上较小：$B \to K^* \gamma$ 衰变约为 6%，$B \to \rho \gamma$ 衰变小于 20%；(d) T2HDM 中的 U-旋道破缺 $\Delta U(K^*,\rho)$ 也规模较小，仅约为 branching 比 $\calb (B \to \rho^0 \gamma)$ 的 8%。