具有有效质量各向异性的半导体中的激子太赫兹吸收
材料科学
2016-04-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了一种微观方法，用于计算具有各向异性有效质量的半导体中的激子性质及相应的太赫兹响应。该方法以锗为例进行说明，表明 L 能谷中的各向异性电子质量导致两个截然不同的太赫兹吸收共振，其间隔为 0.8 meV。
引用
@article{arxiv.1602.02972,
title = {Excitonic terahertz absorption in semiconductors with effective-mass anisotropies},
author = {P. Springer and S. W. Koch and M. Kira},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.02972},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 7 figures